Сполучення конденсаторів – ЕЛЕКТРОСТАТИКА
Формули й таблиці
ФІЗИКА
ЕЛЕКТРОСТАТИКА
Заряд тіла
![]()
Q – заряд тіла, ;
Е – елементарний заряд, ;
N
– число електронів;
Np – число протонів.
Закон збереження електричного заряду
![]()
Q1, q2,… qn – заряди взаємодіючих тіл, .
Закон Кулона
![]()
F – сила електричної взаємодії, ;
R – відстань між зарядами, ;
Ε0 – електрична постійна, ε0 = 8,85 – 10-12, ;
K – коефіцієнт пропорційності, k = 9 – 109,
В однорідному діелектрику
![]()
Ε – діелектрична проникність середовища, величина, що вказує, у скільки разів зменшується сила електростатичної взаємодії в даному середовищі
Напруженість електростатичного поля
![]()
– напруженість електростатичного поля, ;
– сила, що діє з боку електростатичного поля, ;
1,2 – напруженість електростатичного поля, створеного відповідним зарядом
Поле провідної сфери
![]()
![]()
R – радіус
R – відстань до досліджуваної точки поля, .
Поверхнева густина заряду
![]()
σ – поверхнева густина заряду, ;
S – площа поверхні, .
Поле рівномірно зарядженої нескінченної площини
![]()
Потенційна енергія заряду
![]()
Wp – потенційна енергія заряду, .
Робота сил електростатичного поля
![]()
А – робота сил електростатичного поля, ;
D – переміщення, ;
ΔWp – зміна потенційної енергії
Потенціал
![]()
φ – потенціал, ;
φ1, φ2,…, φn – потенціал відповідного поля;
Δφ – різниця потенціалів.
Напруга
![]()
U – напруга, .
Електроємність
![]()
C – електроємність.
Плоский конденсатор
![]()
![]()
S – площа пластини, ;
D – відстань між пластинами, ;
Ε0 – електрична постійна, ε0 = 8,85 – 10-12, ;
Ε – діелектрична проникність
Wp – потенційна енергія, .
Сполучення конденсаторів
Паралельне сполучення
![]()
![]()
Q1 – заряд на обкладках 1-го конденсатора;
Q2 – заряд на обкладках 2-го конденсатора;
Q – заряд на обкладках нового конденсатора;
U1 – напруга між обкладками 1-го конденсатора;
U2 – напруга між обкладками 2-го конденсатора.
Послідовне сполучення
![]()
![]()
U – напруга між обкладками нового конденсатора;
С1 – ємність 1-го конденсатора;
С2 – ємність 2-го конденсатора;
C – ємність нового конденсатора.